[数码讨论]澜起推出 CXL 3.1 内存扩展控制器 (MXC) ，芯片进入客户送样阶段[1P] [复制链接]

接口与性能

物理层接口：采用 PCIe 6.2 PHY，支持最高 64 GT/s 传输速率（x8通道），可灵活拆分为 2个x4端口。
内存控制器：内置 双通道 DDR5-8000 内存控制器，速率达 8000 MT/s，显著提升主机与后端内存的数据交换效率123。
集成架构

双 RISC-V 微处理器：
应用处理单元（APU）：负责资源动态配置与实时事件处理。
安全处理单元（SPU）：提供硬件级安全管理功能145。
扩展接口：集成 SMBus/I³C、SPI、JTAG 等接口，便于固件升级与系统集成35。
封装与形态

封装尺寸：25mm × 25mm 紧凑型设计。
兼容形态：支持 EDSFF E3.S（盘式） 和 PCIe AIC（插卡式） 两种部署形态134。
二、技术突破与行业价值
性能与能效提升

通过 CXL 3.1 协议实现内存资源池化，突破传统内存架构的带宽与扩展性瓶颈，降低数据中心总体拥有成本（TCO）35。
解耦式内存架构：推动内存资源在异构系统中的动态共享，为 AI 计算、云工作负载提供底层支持35。
生态协同进展

三星电子：认可其高带宽与内存池化能力，计划协同推进 CXL 在 AI 领域的应用3。
SK海力士：强调该芯片对下一代系统架构的创新影响3。
AMD & 英特尔：视为构建异构内存分层的关键技术，加速 AI/云场景落地3。
三、商业化进展
当前阶段：已向主要客户送样测试，同步提供 参考设计套件（RDK） 加速解决方案验证135。
量产规划：未公开具体时间表，但送样标志着技术成熟度达到商用门槛。

权威行业评价
澜起科技总裁 Stephen Tai：
“CXL 3.1 内存扩展控制器的推出，标志着我们在 CXL 技术领域的又一次领先突破。该芯片为下一代算力基础设施中内存资源的池化与共享奠定坚实基础。” 135

AMD 副总裁 Raghu Nambiar：
“澜起科技的 CXL 3.1 方案与我们降低 TCO 的目标高度契合，将加速内存分层技术在 AI 场景的应用。” 3

总结：澜起 M88MX6852 芯片通过 CXL 3.1 标准化协议、PCIe 6.2 接口与双通道 DDR5 技术，解决了数据中心内存扩展的效能瓶颈，其弹性资源池化能力获全球头部厂商背书，有望重塑下一代算力基础设施架构。

澜起科技推出基于 CXL 3.1 Type 3 标准的内存扩展控制器芯片 M88MX6852

IT之家 9 月 1 日消息，澜起科技今日宣布推出基于 CXL 3.1 Type 3 标准设计的内存扩展控制器 (MXC) 芯片 M88MX6852。该芯片全面支持 CXL.mem 和 CXL.io 协议，目前已开始向主要客户送样测试。

技术特点

- 接口与通道：M88MX6852 采用 PCIe 6.2 PHY（物理层）接口，拥有 8 条 PCIe / CXL 通道，并可灵活拆分为 2 个 ×4 端口。
- 内存控制器：内置双通道 DDR5-8000 内存控制器。
- 处理器集成：集成 2 个 RISC-V 指令集微处理器，分别作为应用处理单元 (APU) 和安全处理单元 (SPU) 使用。
- 封装与形态：采用 25mm×25mm 紧凑型封装，兼容盘式的 EDSFF E3.S 和卡式的 PCIe AIC 两种形态。
- 应用场景：可广泛应用于服务器、全闪存阵列及边缘计算等多种部署环境。

总裁声明

澜起科技总裁 Stephen Tai 表示：“CXL 3.1 内存扩展控制器的推出，标志着我们在 CXL 技术领域的又一次实现领先突破。该芯片不仅大幅提升了内存扩展的性能与能效，更依托标准化协议推动了解耦式内存架构的发展，为下一代算力基础设施中内存资源的池化与共享奠定了坚实基础。”

行业影响

CXL（Compute Express Link）技术是近年来数据中心和高性能计算领域的重要创新之一。它通过高速互连技术，实现了 CPU 和加速器、内存扩展设备之间的高效通信。澜起科技的 M88MX6852 芯片在以下几个方面具有重要意义：

1. 性能提升：通过支持 CXL.mem 和 CXL.io 协议，M88MX6852 芯片能够显著提升内存扩展的性能和能效。
2. 标准化协议：依托标准化协议，推动了解耦式内存架构的发展，有助于实现内存资源的池化与共享。
3. 广泛应用：兼容多种形态和应用场景，使得该芯片在服务器、全闪存阵列及边缘计算等领域具有广泛的应用前景。

结语

澜起科技的 M88MX6852 芯片的推出，不仅展示了其在 CXL 技术领域的领先地位，也为下一代算力基础设施的发展提供了强有力的支持。随着 CXL 技术的不断成熟和应用，我们可以期待在未来的数据中心和高性能计算领域看到更多创新和突破。